2SC2150 C2150
SMD
NEC
06+
SI NPN 20V 30mA 250mW 6GHz FOR UHF
Здравствуйте, ! Войти или Зарегистрироваться сейчас
APP Справочник Прямая трансляция 290K likes UtsourceКупить(0)
Запрос цены(0)
Dear customers, due to the implementation of the GDPR policy in Europe, UTSOURCE has also made adjustment accordingly to meet the policy requirements. Please read the new privacy policy carefully and this window will no longer pop up after you accept it.
Delivery Address
+ Добавить адрес
Новый адрес для отправки грузов
* Пожалуйста, заполните номер мобильного телефона правильно, чтобы получить информацию об отслеживании вовремя.
Кодекс страныОтбор от поисковых итогов :
Главная страница > Электронные Компоненты > Модули > RF-модули
В избранное
ni-780s
Freescale
09+
MRF7S21210HS 2110 - 2170 MHz, 63 W AVG., 28 V [RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
В избранное
SMD
Fujitsu
08+
L-Band Medium & High Power GaAs FET.The FLU35XM is a GaAs FET designed for base station applications in thePCN/PCS frequency range
В избранное
В избранное
В избранное
SMD
Mitsubishi
16+
The RA60H1317M1A is a 60-watt RF MOSFET Amplifier Module for 12.5-volt mobile radios that operate in the 136- to 174-MHz range.
RA60H1317M1 is a Mitsubishi RF power transistor module designed for use in radio communication equipment. It is a high-power, high-efficiency, high-frequency device that is capable of operating in the
В избранное
Остановить производство экспертов, мы можем предоставить большое количество электронных компонентов, которые были остановлены производства и которые трудно найти, чтобы облегчить обслуживание компании