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3. Utsource-zertifizierte Teile können innerhalb von 60 Tagen bedingungslos zurückgegeben und erstattet werden.
Beschreibung
Transistor Module Medium Power Switching Use Insulated Type
Titel
Modules
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Introduction:
This is a medium power switching use insulated type IGBT manufactured by Mitsubishi Corporation. Each module is made up of two IGBT’s in a half-bridge configuration and each transistor has a reverse connected super-fast recovery free-wheel diode. Every component is isolated from the heat sinking base, this offers a simple system for assembly and thermal management.
IGBT is a switching device that can be used for fast switching with high efficiency in different types of electronic devices. These devices are mostly used in amplifiers for switching/processing complex wave patters with pulse width modulation (PWM). It merges the low saturation voltage of a transistor with the high input impedance and switching speed of a MOSFET. The outcome that is gotten from this combination gives the output switching and conduction features of a bipolar transistor, but its voltage is directed like a MOSFET.
Features:
● Low Drive Power
● VCE(sat) is very low
● Recovery Freewheel diode that is discrete and super fast
● Operation in high frequencies
● Easy Heat sinking with isolated baseplate
Parameters
● Junction Temperature, Tj – 40 to 150℃
● Storage Temperature, Tstg – 40 to 125℃
● Emitter Collector Voltage, VCES – 600Volts
● Emitter base Voltage, VGES - 7Volts
● Collector Current, IC – 30Amperes
● Peak Collector Current, ICM – 30Amperes
● Collector Dissipation, Pc – 250Watts
Application:
● AC & DC Motor Control
● Servo Control
● General Purpose Inverters
● NC equipment
● Welders
● Robotics
Vorschau auf die ersten 3 Seiten des Datenblattes
Teilweise vom gleichen Hersteller
Some Part number from the same manufacture Mitsubishi Electronics Inc. |
QM30HA-HB Transistor Module Medium Power Switching Use Insulated Type |
QM30HC-2H Transistor Module Induction Heater Use Non-insulated Type |
QM30HQ-24 Transistor Module Drive Use For High Power Transistor Insulated Type |
QM30HY-2H Transistor Module Medium Power Switching Use Insulated Type |
QM30TB-24 |
QM30TB-24B |
QM30TB-2H |
QM30TB-2HB |
QM30TF-HB |
QM30TX-H |
QM30TX-HB |
QM400HA-24 400A - Transistor Module For Medium Power Switching Use, Insulated Type |
QM400HA-24B |
QM400HA-2H |
QM400HA-2HB |
QM400HA-H |
QM400HA-M |
QM500HA-H 500A - Transistor Module For Medium Power Switching Use, Insulated Type |
QM50CY-H Transistor Module Medium Power Switching Use Insulated Type |
QM50DY-24 |
QM50DY-24B |
FU-653SEA-3M88 : WDM->DWDM 10Gb/s Emlbutterfly, 40km/80km Reach , Wavelength=C-band, Output Power=>-2bBm M38003E5-XXXHP : 8-bit Single-chip Microcomputer M38206E8DXXXHP : RAM Size: 896 Bytes; Single-chip 8-bit CMOS Microcomputer M38227E3DFP : RAM Size: 1024 Bytes; Single-chip 8-bit CMOS Microcomputer M38279E3-XXXFS : Single-chip 8-bit CMOS Microcomputer M38505MEH-XXXSS : RAM Size:768 Bytes; Single-chip 8-bit CMOS Microcomputer M38863MCA-XXXGP : RAM Size: 512bytes Single Chip 8-bit CMOS Microcomputer M51203FP : Voltage Comparator M5M5256C-55XL : 262144-bit (32768-word BY 8-bitcmos SRAM M38191MB-XXXFP : Single-chip 8-bit CMOS Microcomputer |
Gleiche Kategorie
Same catergory |
1N4149 : Signal or Computer Diode. Signal or Computer Diode, Package : DO-35. BDX33C : Power 10A 100V NPND , Package: TO-220, Pins=3. . designed for general purpose and low speed switching applications. hFE = 2500 (typ.) = 4.0 CollectorEmitter Sustaining Voltage at 100 mAdc VCEO(sus) = 80 Vdc (min.) 34B 100 Vdc (min.) BDX33C, 34C Low CollectorEmitter Saturation Voltage VCE(sat) = 2.5 Vdc (max.) = 3.0 Adc 33C/34B, 34C Monolithic Construction with BuildIn BaseEmitter Shunt resistors. DSEI2X61-12B : Fast Recovery Epitaxial Diodes (fred). TVJ = TVJM = 50°C; rectangular, < 10 ms; rep. rating, pulse width limited by TVJM TVJ ms (50 Hz), sine ms (60 Hz), sine TVJ ms (50 Hz), sine ms (60 Hz), sine I2t TVJ ms (50 Hz), sine ms (60 Hz), sine TVJ ms (50 Hz), sine ms (60 Hz), sine TVJ TVJM Tstg Ptot VISOL Md Weight Symbol IR Test Conditions TVJ = 25°C TVJ = 25°C TVJ VR = VRRM = 0.8 VRRM = 0.8 VRRM. EA21FC2-F : Device = FRD ;; Ripetitive Peak Reverse Voltage(V) = 200 ;; Average Rectified Current(A) = 2 ;; Condition(cace or Ambient Temperature) = Tc=136 ;; Surge Forward Current(A) = 30 ;; Maximam Operating Junction Temperature( C ) = 150 ;; Storage Temperature( C ) = -40 to 150 ;; Peak Forward Voltage(V) = 0.98 ;; Peak Forward Current(A) = 1 ;; Peak Reverse. ED302T : Super Fast Recovery Rectifier ( Voltage - 200 to 600 Volts Current - 3.0 Amperes ). FCX596 : PNP High Voltage Transistor. PARTMARKING DETAIL G SOT89 SYMBOL VCBO VCEO VEBO ICM IC IB Ptot Tj:Tstg VALUE to +150 MAX. UNIT CONDITIONS. IC=-250mA,VCE=-10V* IC=-400mA,VCE=-10V, MHz f=1MHz D PARAMETER Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Peak Pulse Current Continuous Collector Current Base Current Power Dissipation at Tamb=25°C Operating and Storage. STN1NF10 : Low Voltage. N-channel 100V - 0.7 Ohm - 1A SOT-223 StripFET ii Power MOSFET. STP3NA50 : Medium Voltage. Old PRODUCT: Not Suitable For Design-in. N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPICAL RDS(on) ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING 100% AVALANCHE TESTED REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC LOW INTRINSIC CAPACITANCES GATE GHARGE MINIMIZED REDUCED THRESHOLD VOLTAGE SPREAD TO-220 This series of POWER MOSFETS represents the most advanced high voltage technology. The optimized cell. DRA9124X : 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR. s: Polarity: PNP ; Package Type: ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3-B, 3 PIN. DZ2W030 : 3 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE. s: Diode Type: VOLTAGE REGULATOR DIODE ; RoHS Compliant: RoHS. EWVS : RESISTOR, POTENTIOMETER, 1 TURN(S), 0.025 W, 10000 ohm - 100000 ohm. s: Potentiometer Type: Standard Potentiometer ; Mounting / Packaging: ThroughHole ; Operating Temperature: 0 to 50 C (32 to 122 F). FS1Q : 1 A, 1200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC. s: Package: PLASTIC, SMA, 2 PIN ; Number of Diodes: 1 ; IF: 1000 mA ; RoHS Compliant: RoHS. IN08037 : 1 ELEMENT, 0.77 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD. s: Mounting Option: Surface Mount Technology ; Devices in Package: 1 ; Lead Style: ONE SURFACE ; Standards and Certifications: RoHS ; Application: General Purpose ; Inductance Range: 0.7700 microH ; Rated DC Current: 23000 milliamps. SQMWS1010RJ : RESISTOR, WIRE WOUND, 10 W, 5 %, 300 ppm, 10 ohm, THROUGH HOLE MOUNT. s: Category / Application: General Use ; Technology / Construction: Wirewound ; Mounting / Packaging: ThroughHole, Radial Leads, RADIAL LEADED, ROHS COMPLIANT ; Resistance Range: 10 ohms ; Tolerance: 5 +/- % ; Temperature Coefficient: 300 ±ppm/°C ; Power Rating: 10 watts (0.0134. THD16A70 : TELECOM TRANSFORMER. s: Category: Signal ; Other Transformer Types / Applications: Telecom ; Mounting: Chip Transformer. 335MKP275KHF : CAPACITOR, METALLIZED FILM, POLYPROPYLENE, 3.3 uF, THROUGH HOLE MOUNT. s: Configuration / Form Factor: Leaded Capacitor ; Technology: Film Capacitors ; Applications: General Purpose ; Electrostatic Capacitors: Polypropylene ; RoHS Compliant: Yes ; Capacitance Range: 3.3 microF ; Capacitance Tolerance: 10 (+/- %) ; Mounting Style: Through Hole ; Operating. 9C06031A0R00JKHFT : JUMPER, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.1 W, 0 ohm, SURFACE MOUNT, 0603. s: Category / Application: General Use ; Technology / Construction: Thick Film (Chip) ; Mounting / Packaging: Surface Mount Technology (SMT / SMD), 0603, CHIP ; Resistance Range: 0.0 ohms ; Power Rating: 0.1000 watts (1.34E-4 HP) ; Operating Temperature: -55 to 155 C (-67 to 311 F). |
275 Käuferbewertungen von Germany
Kenneth Harris
Length of registration:7 years
I recently ordered an IC QM30HA-H from your company and I am very pleased with its performance. The product is well-made and functions as expected. It is easy to install and use, and I appreciate the detailed instructions that came with it. I am confident that this product will serve me well for many years to come. Thank you for providing me with such a quality product.
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03/17/2023
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QM30HA-H
QM30HA-H hat mehrere Marken auf der ganzen Welt, die aufgrund von regionalen Unterschieden oder Akquisitionen alternative Namen für QM30HA-H haben können. QM30HA-H kann auch unter den folgenden Namen bekannt sein:
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Mindestbestellmenge: 1
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UTSOURCE
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Stoppen Sie die Produktionsexperten. Wir können eine große Anzahl elektronischer Komponenten bereitstellen, deren Produktion eingestellt wurde und die schwer zu finden sind, um das Wartungsunternehmen zu unterstützen
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